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国内自主研发三维NAND闪存芯片亮相数字中国建设成果展览会

新华网北京4月23日电 22日下午,国内自主研发的32层三维NAND闪存芯片在首届数字中国建设成果展览会上亮相。该芯片是国家存储器基地的核心项目。目前,芯片生产机台已于4月11日正式进场安装,有望于年内实现量产。

资料显示,国家存储器基地项目于2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设,总投资额为240亿美元,位于武汉东湖高新区。基地将建设3座三维NAND Flash生产厂房。目前,项目一期已建成,首批32层三维NAND闪存芯片将于年底前实现量产。业内人士分析,该芯片将填补我国主流存储器领域空白。

对此,紫光集团董事长赵伟国表示,“‘数字中国’的建设,离不开从芯到云的核心技术产品支撑。紫光集团秉承自主创新+国际合作的企业创新驱动战略,将企业的发展重心与国家战略实现相结合;致力于为企业及互联网应用提供所需要的芯片、计算、网络、存储等核心技术,以及云计算解决方案及能力。”

除了NAND闪存芯片,在此次会上,紫光集团还展出了应用了Flash技术的SIM卡芯片,通过国际CC EAL5+认证的金融IC卡芯片THD88双界面模块、国产自主产权千万门级高性能FPGA紫光同创PGT180H等多款移动通讯和物联网等芯片。紫光集团披露信息显示,在芯片板块,紫光集团已经集合了芯片设计、生产、制造、封测、销售的全产业链,将打造集成电路产业集群。

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